MOS管檢測機構

MOS管是金屬—氧化物-半導體場(chǎng)效應晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下，這個(gè)兩個(gè)區是一樣的，即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應管(FET)，把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance，定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

檢測周期 ：7-10個(gè)工作日出具M(jìn)OS管檢測報告。

MOS管檢測范圍：

結型場(chǎng)效應管(N溝道)、結型場(chǎng)效應管(P溝道)、絕緣柵場(chǎng)效應管(N溝道)、絕緣柵場(chǎng)效應管(P溝道)等;

MOS管檢測項目：

阻抗性、噪聲檢測、動(dòng)態(tài)范圍、功耗檢測、等;